[发明专利]光刻掩膜优化设计方法及系统

权利要求书

1.一种光刻掩膜优化设计方法，其特征在于，所述光刻掩膜优化设计方法包括如下步骤：

1)依据光刻所需参数条件依次进行光源优化、掩膜优化及光源-掩膜优化；其中，依据光刻所需参数条件进行的光源优化均包括如下步骤：提供初始光源；将所述初始光源进行第一次优化，以将所述初始光源划分成第一网格状；将第一次优化后的所述光源进行上采样，以将第一次优化后的所述光源细化为第二网格状，所述第二网格状中网格的数量为所述第一网格状中网格的数量的大于等于2的整数倍；将上采样后的所述光源进行第二次优化，所述第二次优化不涉及光源模糊化处理；将第二次优化后的所述光源进行光源模糊化处理；及，将光源模糊化处理后的光源进行光瞳渲染；在依据光刻所需参数条件进行光源-掩膜优化的过程中，光源优化与掩膜优化协同优化；在经过光源优化、掩膜优化及光源-掩膜优化之后，得到曝光所需的光源及掩膜的相关参数；

2)依据优化结果设定曝光参数；

3)依据器件的关键尺寸对所述曝光参数进行修正；

4)依据修正后的曝光参数输出光刻掩膜模型；

5)对所述光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，

6)对光学邻近校正后的所述光刻掩膜模型进行电性验证检测，在电性验证检测通过后得到所需的光刻掩膜。

2.根据权利要求1所述的光刻掩膜优化设计方法，其特征在于，步骤1)中光刻所需参数条件包括：光刻机台型号、光刻机台硬件参数、光源数值孔径、光源偏振方向及光刻胶膜层结构。

3.根据权利要求1所述的光刻掩膜优化设计方法，所述第一网格状包括16×16的矩阵网格，所述第二网格状包括32×32的矩阵网格。

4.根据权利要求1所述的光刻掩膜优化设计方法，其特征在于，步骤1)中，依据光刻所需参数条件进行的掩膜优化均包括如下步骤：

提供初始掩膜；

将所述初始掩膜进行连续传输掩膜优化；

将连续传输掩膜优化后的所述掩膜中植入亚分辨率辅助图形；

将植入有所述亚分辨率辅助图形的所述掩膜进行未经过掩膜规则检测的优化，以在所述掩膜内形成若干个间隔排布的不规则条状图形；及，

将形成有不规则条状图形的所述掩膜进行经过掩膜规则检测的优化，以将所述不规则条状图形修正为矩形条状图形。

5.根据权利要求1所述的光刻掩膜优化设计方法，其特征在于，所述器件的关键尺寸预先通过在实际生产工艺过程中量测收集而得到。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光刻掩膜优化设计方法，其特征在于，当步骤6)中检测到所述光刻掩膜模型中电连接结构存在断路或短路时，步骤6)之后还包括对所述光刻掩膜模型进行热点修复的步骤。

7.一种光刻掩膜优化设计系统，实现如权利要求1～6任意一项所述的光刻掩膜优化设计方法，其特征在于，所述光刻掩膜优化设计系统包括：

光源优化模块，用于依据光刻所需参数条件进行光源优化；

掩膜优化模块，用于依据光刻所需参数条件进行掩膜优化；

光源-掩膜优化模块，与所述光源优化模块及所述掩膜优化模块相连接，用于依据光刻所需的参数条件对所述光源优化模块及所述掩膜优化模块优化后的所述掩膜进行进一步光源优化及掩膜优化；

曝光参数设定模块，与所述光源-掩膜优化模块相连接，用于依据优化结果 设定曝光参数；

数据存储模块，用于存储器件的关键尺寸；

修正模块，与所述曝光参数设定模块及所述数据存储模块相连接，用于依据器件的关键尺寸对所述曝光参数进行修正；

模型输出模块，与所述修正模块相连接，用于依据修正后的曝光参数输出光刻掩膜模型；

光学邻近校正模块，与所述模型输出模块相连接，用于将输出的光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，

验证检测模块，与所述光学邻近校正模块相连接，用于将光学邻近校正后的所述光刻掩膜模型进行电性验证检测。