[发明专利]光刻掩膜优化设计方法及系统

说明书

本发明提供一种光刻掩膜优化设计方法及系统，光刻掩膜优化设计方法包括如下步骤：1）依据光刻所需参数条件依次进行光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化；2）依据优化结果设定曝光参数；3）依据器件的关键尺寸对曝光参数进行修正；4）依据修正后的曝光参数输出光刻掩膜模型；5）对光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，6）对光学邻近校正后的光刻掩膜模型进行电性验证检测，在电性验证检测通过后得到所需的光刻掩膜。本发明的光刻掩膜优化设计方法通过采用光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化设定曝光参数，可以实现光刻掩膜的自动化设置，整个设计过程比较简单、灵活，精确度较高。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种光刻掩膜优化设计方法及系统。

背景技术

在现有的半导体工艺中，光刻掩膜的设计关乎后续的整个半导体工艺制程，对产品的制造及产品的良率有着至关重要的影响。现有光刻掩膜设计的方法一般包括如下步骤：

1)设计光刻掩膜测试图形；

2)光刻掩膜测试图形下线(tape out)；

3)曝光后收集关键尺寸；

4)将收集的关键尺寸进行过滤和清除，以得到所需的关键尺寸；

5)依据得到的关键尺寸对光刻掩膜模型进行校正；

6)将校正后的光刻掩膜模型输出；

7)对所述光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，

8)对光学邻近校正后的所述光刻掩膜模型进行电性验证检测；

9)将所述光刻掩膜模型进行热点修复。

由上述步骤可知，在光刻掩膜设计过程中，需要先对光刻掩膜进行设计、下线，并进行关键尺寸的收集、过滤和清除等步骤，整个设计过程比较复杂繁琐，耗时较长，大大增加了成本。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光刻掩膜优化设计方法及系统，用于解决现有技术的光刻掩膜设计过程中存在的设计过程复杂繁琐、耗时较长及成本较高的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供一种光刻掩膜优化设计方法，所述光刻掩膜优化设计方法包括如下步骤：

1)依据光刻所需参数条件依次进行光源优化、掩膜优化及光源-掩膜优化；

2)依据优化结果设定曝光参数；

3)依据器件的关键尺寸对所述曝光参数进行修正；

4)依据修正后的曝光参数输出光刻掩膜模型；

5)对所述光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，

6)对光学邻近校正后的所述光刻掩膜模型进行电性验证检测，在电性验证检测通过后得到所需的光刻掩膜。

作为本发明的一种优选方案，步骤1)中光刻所需参数条件包括：光刻机台型号、光刻机台硬件参数、光源数值孔径、光源偏振方向及光刻胶膜层结构。

作为本发明的一种优选方案，步骤1)中，依据光刻所需参数条件进行的光源优化均包括如下步骤：

提供初始光源；

将所述初始光源进行第一次优化，以将所述初始光源划分成第一网格状；

将第一次优化后的所述光源进行上采样(up-sampled)，以将第一次优化后的所述光源细化为第二网格状，所述第二网格状中网格的数量为所述第一网格状中网格的数量的大于等于2的整数倍；

将上采样后的所述光源进行第二次优化，所述第二次优化不涉及光源模糊化(source blur)处理；