[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质有效
| 申请号： | 201711083530.7 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108400092B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 丰田一行;大桥直史 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/31;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够提高使膜特性改变的处理后的衬底的特性的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。包括：收容衬底的处理容器；衬底支承部，在处理容器内支承衬底，具有支承电极；与衬底支承部相对的上部电极；第一阻抗控制部，其一端连接于上部电极；第二阻抗控制部，其一端连接于支承电极；处理气体供给部，向衬底供给处理气体；活化部，其在处理容器的外侧，经由绝缘部连接于电力供给部，使处理气体活化；以及第三阻抗控制部，其一端连接于绝缘部与活化部之间。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，包括：收容衬底的处理容器；衬底支承部，在所述处理容器内支承所述衬底，具有支承电极；与所述衬底支承部相对的上部电极；第一阻抗控制部，其一端连接于所述上部电极；第二阻抗控制部，其一端连接于所述支承电极；处理气体供给部，向所述衬底供给处理气体；活化部，其在所述处理容器的外侧，经由绝缘部连接于电力供给部，使所述处理气体活化；以及第三阻抗控制部，其一端连接于所述绝缘部与所述活化部之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
