[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质有效

申请号：	201711083530.7	申请日：	2017-11-07
公开（公告）号：	CN108400092B	公开（公告）日：	2022-02-22
发明（设计）人：	丰田一行;大桥直史	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/302	分类号：	H01L21/302;H01L21/31;H01L21/67
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	杨宏军;李文屿
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质
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【说明书】：

提供一种能够提高使膜特性改变的处理后的衬底的特性的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。包括：收容衬底的处理容器；衬底支承部，在处理容器内支承衬底，具有支承电极；与衬底支承部相对的上部电极；第一阻抗控制部，其一端连接于上部电极；第二阻抗控制部，其一端连接于支承电极；处理气体供给部，向衬底供给处理气体；活化部，其在处理容器的外侧，经由绝缘部连接于电力供给部，使处理气体活化；以及第三阻抗控制部，其一端连接于绝缘部与活化部之间。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术

伴随大规模集成电路(Large ScaleIntegrated Circuit：以下记作LSI)、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、Flash Memory等所代表的半导体器件的高集成化，电路图案、在制造过程中形成的结构物逐渐微细化。在半导体器件的制造工序中，作为实现微细化的处理，进行使用了等离子体的处理。例如有专利文献1记载的技术。

此外，在处理后进行改变膜特性的等离子体处理。例如有专利文献2记载的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－092533

专利文献2：日本特开2012－193457

发明内容

发明要解决的问题

需要提高改变膜特性的处理后的衬底的特性。

因此本发明提供一种使改变膜特性的处理后的衬底的特性提高的技术。

用于解决问题的手段

根据一方案，提供如下技术，包括：收容衬底的处理容器；衬底支承部，在处理容器内支承衬底，具有支承电极；与衬底支承部相对的上部电极；第一阻抗控制部，其一端连接于上部电极；第二阻抗控制部，其一端连接于支承电极；处理气体供给部，向衬底供给处理气体；活化部，其在处理容器的外侧，经由绝缘部连接于电力供给部，使处理气体活化；以及第三阻抗控制部，其一端连接于绝缘部与活化部之间。

发明效果

根据本发明涉及的技术，能够在改变处理后的膜特性的等离子体处理中生成大量的活性种。

附图说明

图1为一实施方式涉及的衬底处理装置的概略构成图。

图2为一实施方式涉及的气体供给部的概略构成图。

图3为一实施方式涉及的衬底处理装置的控制器的概略构成图。

图4为表示一实施方式涉及的衬底处理工序的流程图。

图5为表示一实施方式涉及的等离子体生成例的图。

图6为表示一实施方式涉及的等离子体生成例的图。

图7为表示一实施方式涉及的等离子体生成例的图。

图8为一实施方式涉及的阻抗设定表格的例子。

图9为其他实施方式涉及的处理顺序例。