[发明专利]一种改善CMOS芯片像素区域凹陷的方法

摘要

本发明提供了一种改善CMOS芯片像素区域凹陷的方法，其中，提供一衬底，衬底上包括逻辑区域以及像素区域，包括以下步骤步骤S1、于衬底上形成一具有预定厚度的金属栅格层，金属栅格层包括，对应逻辑区域的第一金属栅格结构以及对应像素区域的呈网状的第二金属栅格结构步骤S2、于金属栅格层上沉积形成一厚度大于预定厚度的保护层，保护层对应第二金属栅格结构的区域呈凹陷状结构；步骤S3、对保护层进行研磨以去除凹陷状结构使保护层最终的顶面保持齐平。其技术方案的有益效果在于，可有效的解决CMOS芯片像素区域出现的凹陷，进而避免芯片在外观的颜色存在差异以及在应用中出现像素阵列区域光路的差异，造成成像失真等问题。

主权项

一种改善CMOS芯片像素区域凹陷的方法，其特征在于，提供一衬底，所述衬底上包括逻辑区域以及像素区域，包括以下步骤：步骤S1、于所述衬底上形成一具有预定厚度的金属栅格层，所述金属栅格层包括，对应所述逻辑区域的第一金属栅格结构以及对应所述像素区域的呈网状的第二金属栅格结构：步骤S2、于所述金属栅格层上沉积形成一厚度大于所述预定厚度的保护层，所述保护层对应所述第二金属栅格结构的区域呈凹陷状结构；步骤S3、对所述保护层进行研磨以去除所述凹陷状结构使所述保护层最终的顶面保持齐平。