[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201711071262.7 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108091692A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 林宪信;杨明宗;万文恺 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，包括：栅极结构，设置在平行布置的鳍状结构上，其中每个鳍状结构的栅极结构的两侧上具有漏极部分和源极部分；漏极接触结构，设置在所述鳍状结构的漏极部分上方；源极接触结构，设置在所述鳍状结构的源极部分上方；具有第一数量的漏极通孔结构，与所述漏极接触结构电连接；以及具有第二数量的源极通孔结构，与所述源极接触结构电连接，其中所述第一数量与所述第二数量之和大于或等于2，并且所述第一数量与所述第二数量之和小于或等于所述鳍状结构数量的两倍。本发明大大降低了半导体装置的热电阻值，从而减少半导体装置产生的热量，还可以增加半导体装置的散热渠道和散热面积，改善半导体装置的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 鳍状结构 漏极 漏极接触 源极接触 栅极结构 电连接 源极 平行布置 散热能力 散热渠道 通孔结构 源极通孔 散热 热电 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：栅极结构，设置在平行布置的鳍状结构上，其中每个鳍状结构的栅极结构的两侧上具有漏极部分和源极部分；漏极接触结构，设置在所述鳍状结构的漏极部分上方；源极接触结构，设置在所述鳍状结构的源极部分上方；具有第一数量的漏极通孔结构，与所述漏极接触结构电连接；以及具有第二数量的源极通孔结构，与所述源极接触结构电连接，其中所述第一数量与所述第二数量之和大于或等于2，并且所述第一数量与所述第二数量之和小于或等于所述鳍状结构数量的两倍。
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