[发明专利]一种阱局部高掺的MOS型器件及制备方法有效
| 申请号： | 201711067953.X | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107895738B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 杨同同;柏松;黄润华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阱局部高掺的MOS型器件及制备方法，包括衬底，衬底上方为阻挡层，阻挡层上方沟道两侧依次离子注入形成阱区域、多层阱局部高掺区域和源极高掺区域；多层阱局部高掺区域包括第五掺杂区域、第四掺杂区域、第三掺杂区域、第二掺杂区域和第一掺杂区域。本发明的MOS型器件，可以使得器件研发人员在阻断电压和导通损耗之间达到很好的平衡，可以在保证一定阻断能力的前提下，适当增加JFET区域的宽度或提高JFET区域的掺杂浓度，降低JFET区域的电阻，进而降低器件的导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 局部 mos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阱局部高掺的MOS型器件，其特征在于：包括衬底，衬底上方为阻挡层，阻挡层上方沟道两侧依次离子注入形成阱区域、多层阱局部高掺区域和源极高掺区域；多层阱局部高掺区域上方依次生长栅氧化层和栅极；源极高掺区域上方设置源极，衬底下方设置漏极；器件上表面还包括钝化介质。
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