[发明专利]提升电流扩展均匀性的LED倒装芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711067904.6 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107845711A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 华斌;张秀敏;闫晓密;黄慧诗 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,刘海 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升电流扩展均匀性的LED倒装芯片及其制作方法，包括衬底和设置于衬底上的GaN外延层，GaN外延层包括从下至上的n型GaN层、量子阱发光层、p型GaN层和透明导电层，n型GaN层部分暴露在外；其特征是在所述透明导电层上沉积一层透明绝缘层，透明绝缘层上具有上下贯通的通道，在透明绝缘层上沉积金属反射层，金属反射层通过所述通道与透明导电层连接，在金属反射层和n型GaN层的暴露区上分别设有P电极和N电极。本发明能够大幅改善传统倒装芯片结构电流扩展不均匀的问题，并且不会影响金属反射层的反射效果，不会降低芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 电流 扩展 均匀 led 倒装 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种提升电流扩展均匀性的LED倒装芯片，包括衬底和设置于衬底上的GaN外延层，GaN外延层包括从下至上的n型GaN层（2）、量子阱发光层（3）、p型GaN层（4）和透明导电层（5），n型GaN层（2）部分暴露在外；其特征是：在所述透明导电层（5）上沉积一层透明绝缘层（8），透明绝缘层（8）上具有上下贯通的通道，在透明绝缘层（8）上沉积金属反射层（6），金属反射层（6）通过所述通道与透明导电层（5）连接，在金属反射层（6）和n型GaN层（2）的暴露区上分别设有P电极和N电极。
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