[发明专利]电容器阵列及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种电容器阵列及其形成方法、半导体器件。在电容器阵列中，由于电极组图层中的贯通口与下电极的筒状结构的筒内部和筒外部均连通，并且贯通口的直线边界在高度方向上的投影穿越至少一个下电极的顶部端口，因此即使贯通口在其直线边界的延伸方向上存在有位移偏差，也仍然不会影响下电极的顶部端口对应在贯通口中的面积尺寸，确保能够在下电极的内外表面均可形成有完整的电容介质层和上电极。并且，由于贯通口的开口尺寸较大，从而在通过贯通口执行刻蚀工艺和成膜工艺时，也有利于提高相应的刻蚀速率和成膜速率。

主权项

一种电容器阵列，其特征在于，包括：一衬底，具有一形成有电容器的器件区；多个下电极，设置在所述衬底的所述器件区上，且所述下电极的形状包括筒状结构；一电极组图层，部分遮盖在多个所述下电极的所述筒状结构的顶部端口上，并且在所述电极组图层中开设有多个贯通口，每一所述贯通口和对应连接的多个所述下电极构成一电极组，每一所述下电极的所述顶部端口和对应的所述贯通口在高度方向上的投影部分重叠，以使所述下电极的所述筒状结构的筒内部和筒外部均与所述贯通口相互连通，其中，所述贯通口具有直线边界，所述直线边界在高度方向上的投影沿着所述直线边界的延伸方向穿越至少一个所述下电极的所述顶部端口的一部份；一电容介质层，覆盖在所述下电极的内外表面上；以及，一上电极，形成在所述电容介质层的表面上，由所述上电极、所述电容介质层和所述下电极构成多个阵列排列的电容器。