[发明专利]压力传感器、压力传感器阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201711062196.7 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107843364B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;陈苏杰;唐伟;赵家庆 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种压力传感器、压力传感器阵列及其制备方法，其中压力传感器包括：有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管包括：衬底、位于衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极和衬底的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、覆盖所述源电极和漏电极以及绝缘层的半导体层；位于所述有机薄膜晶体管的半导体层上方的绝缘性压力敏感薄膜，所述压力敏感薄膜与所述半导体层之间具有空隙；位于所述压力敏感薄膜表面的顶电极。上述压力传感器具有更高的灵敏度和集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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