[发明专利]一种调节扩散气氛的一次扩散工艺有效
| 申请号： | 201711057793.0 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755113B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄志焕;李亚哲;梁效峰;王浩;徐长坡;陈澄;杨玉聪;王晓捧 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L21/324 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种调节扩散气氛的一次扩散工艺，包括将涂源后的硅片设于扩散炉中按照扩散曲线进行扩散，在扩散过程中通入一定比例的氮气和氧气。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，通过调节硅片在扩散过程中，尤其是升温过程中氮气与氧气的比例来控制硅片扩散后结深、TRR、硅片表面方块电阻以及后道的正向电压的测试结果，使得硅片更加满足不同使用需求，使得硅片的结深、TRR、硅片表面方块电阻以及后道的正向电压的数值可以有效控制，已得到需要的硅片，使得硅片扩散操作性高，简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 扩散 气氛 一次 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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