[发明专利]一种调节扩散气氛的一次扩散工艺有效
申请号: | 201711057793.0 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN109755113B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 黄志焕;李亚哲;梁效峰;王浩;徐长坡;陈澄;杨玉聪;王晓捧 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/225;H01L21/324 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调节 扩散 气氛 一次 工艺 | ||
1.一种调节扩散气氛的一次扩散工艺,其特征在于:将涂源后的硅片设于扩散炉中按照扩散曲线进行扩散,在扩散过程中通入一定比例的氮气和氧气,在扩散升温过程中通入所述一定比例的氮气和氧气;
所述的扩散曲线包括升温过程,所述升温过程具体包括以下步骤:
S1:将所述扩散炉的温度由500-600℃升至1000-1200℃,升温时间为4-5h;
S2:保持所述扩散炉的温度为1000-1200℃,恒温时间为3-4h;
S3:将所述扩散炉的温度由1000-1200℃升至1250-1300℃,升温时间为30-60min;
S4:保持所述扩散炉的温度为1250-1300℃,恒温时间为20-30h;
所述扩散曲线还包括降温过程,所述降温过程具体包括以下步骤:
S5:将所述扩散炉的温度由1250-1300℃降至700-800℃,时间为3-4h;
S6:保持所述扩散炉的温度为700-800℃,恒温时间为3-4h;
S7:将所述扩散炉的温度由700-800℃降至500-600℃,时间为1-2h。
2.根据权利要求1所述的调节扩散气氛的一次扩散工艺,其特征在于:所述一定比例的氮气和氧气的比例为1-10。
3.根据权利要求1所述的调节扩散气氛的一次扩散工艺,其特征在于:所述步骤S1、所述步骤S2和所述步骤S3中均通入所述一定比例的氮气和氧气。
4.根据权利要求3所述的调节扩散气氛的一次扩散工艺,其特征在于:所述步骤S4中关闭氧气,通入氮气。
5.根据权利要求1所述的调节扩散气氛的一次扩散工艺,其特征在于:所述步骤S5、所述步骤S6和所述步骤S7中均关闭氮气,通入氧气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津环鑫科技发展有限公司,未经天津环鑫科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711057793.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造