[发明专利]一种铟镓砷红外探测器制备方法有效
| 申请号： | 201711057712.7 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107910385B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;仇志军;单亚兵;龚海梅;李雪;邵秀梅 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根;徐颖 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm~600nm可见光，发射1μm近红外光。利用掺杂稀土元素的氯硫玻璃完成可见光到近红外光的转换，不影响铟镓砷红外探测器对短波红外的吸收，同时吸收400nm~600nm可见光，发射1μm左右的近红外光被铟镓砷红外探测器吸收，实现铟镓砷红外探测器可见光范围的扩展。具有结构简单，成本低的优点。当需要进行多波段探测时，扩展铟镓砷红外探测器探测范围到可见光这种方式优势非常明显、实用性很强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镓砷 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，其特征在于，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm～600nm可见光，发射1μm近红外光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海电力学院，未经上海电力学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711057712.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
