[发明专利]一种铟镓砷红外探测器制备方法

权利要求书

1.一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P-I-N结构红外探测器，其特征在于，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm～600nm可见光，发射1μm近红外光；

所述下转换发光薄膜的制作：使用高纯度多晶99.999％锗、99.999％镓、99.999％硫和99.9％氯化铯人工合成GeS₂–Ga₂S₃–CsCl基质氯硫玻璃，以99.9％Er₂S₃、99.9％Yb₂S₃的形式掺杂稀土元素Er,Yb到基质氯硫玻璃，用旋涂法制备一层GeS₂–Ga₂S₃–CsCl:Er,Yb下转换发光薄膜。

2.根据权利要求1所述铟镓砷红外探测器制备方法，其特征在于，所述掺杂稀土材料的下转换发光薄膜中的稀土离子还可以为Pr³⁺或者Tb³⁺或者Tm³⁺与Yb³⁺之间的组合。