[发明专利]一种减小WPE效应的标准单元库版图设计方法有效
| 申请号： | 201711050885.6 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107798197B | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 阳媛;高唯欢;胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/394;G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减小WPE效应的标准单元库版图设计方案，应用于半导体制造领域，包括以下步骤，确定标准单元版图的基本设计参数；根据所述标准单元原理图和所述基本设计参数，形成标准单元的基本版图；根据所述标准单元的基本版图，计算出单个所述标准单元的PMOS AA有源区至N阱的最大距离(SC_sum)；根据所述最大距离(SC_sum)，计算出PMOS的源/漏端至N阱的最佳距离值；根据所述最佳距离值，对所述基本版图进行调整。有益效果：本发明在实现了单个标准单元版图和面积固定的同时，减小了标准单元所受WPE效应的影响，增高阈值电压，电路速度提升5％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 wpe 效应 标准 单元 版图 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种减小WPE效应的标准单元库版图设计方法，应用于半导体制造领域，其特征在于，于标准单元库的标准单元原理图设计完成后，执行以下步骤：步骤S1、确定标准单元版图的基本设计参数；步骤S2、根据所述标准单元原理图和所述基本设计参数，形成标准单元的基本版图；步骤S3、根据所述标准单元的基本版图，计算出单个所述标准单元的PMOS AA有源区至N阱的最大距离(SC_sum)；步骤S4、根据所述最大距离(SC_sum)，计算出PMOS的源/漏端至N阱的最佳距离值；步骤S5、根据所述最佳距离值，对所述基本版图进行调整。
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