[发明专利]一种镶嵌陶瓷的散热线路板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711049760.1 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN107708315B 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 刘统发 申请(专利权)人: 江苏贺鸿电子有限公司
主分类号: H05K3/02 分类号: H05K3/02;H05K1/02;C23C28/02;C25D3/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 224200 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及到线路板制造领域,具体涉及到一种镶嵌陶瓷的散热线路板及其制备方法。一种镶嵌陶瓷的散热线路板的制备方法,至少包括以下步骤:a.覆铜板加工:将半固化片放置在两张单面覆铜板之间然后用铆钉固定,在单面覆铜板上加工出窗口;b.陶瓷基板加工:在陶瓷基板的上、下表面通过第一溅镀工艺镀上钛层,接着通过第二溅镀工艺镀上第一铜层,然后通过第一电镀工艺镀上第二铜层,最后切割成陶瓷块,所述的陶瓷块的尺寸与所述的窗口的尺寸相匹配;c.压合:把切割好的陶瓷块嵌入所述的窗口中,然后进行压合;d.钻孔:在单面覆铜板上加工导电孔;e.镀铜:通过化学镀铜的方式在导电孔内沉积上第三铜层,再通过第二电镀工艺镀上第四铜层。
搜索关键词: 一种 镶嵌 陶瓷 散热 线路板 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种镶嵌陶瓷的散热线路板的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:/na.覆铜板加工:将半固化片放置在两张单面覆铜板之间然后用铆钉固定,所述的单面覆铜板一面覆有铜箔,所述的单面覆铜板的无覆铜面与半固化片直接接触;在单面覆铜板上加工出窗口,所述的窗口贯穿所述的单面覆铜板和半固化片;/nb.陶瓷基板加工:在陶瓷基板的上、下表面通过第一溅镀工艺镀上钛层,接着通过第二溅镀工艺镀上第一铜层,然后通过第一电镀工艺镀上第二铜层,最后切割成陶瓷块,所述的陶瓷块的尺寸与所述的窗口的尺寸相匹配;/nc.压合:把切割好的陶瓷块嵌入所述的窗口中,然后进行压合,使半固化片挤入陶瓷块和单面覆铜板的间隙并使之粘合,并通过研磨的方式除去表面溢出的半固化片树脂;/nd.钻孔:在单面覆铜板上加工导电孔,导电孔贯穿单面覆铜板和半固化片;/ne.镀铜:通过化学镀铜的方式在导电孔内沉积上第三铜层,再通过第二电镀工艺镀上第四铜层,所述的第四铜层包覆单面覆铜板和第三铜层;/n所述的单面覆铜板的基材为FR-4环氧玻璃纤维布基板,购自深圳龙兴电子材料有限公司,板厚为1.5±0.05mm,所述的半固化片购自沧州市华兴电子化学有限公司,牌号为1080;/n所述的陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷;/n所述的钛层的厚度为0.18μm,所述的第一铜层的厚度为1.5μm,所述的第二铜层的厚度为32μm;所述的第三铜层的厚度为0.45μm;所述的导电孔的直径与高度的比值为1:10;/n所述的第二电镀工艺使用的电镀液,其组成,以重量份计,至少包括:硫酸铜65份、硫酸210份、氯离子0.04份、聚二硫二丙烷磺酸钠0.02份、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物0.1份、氯化二甲基苄基[2-(2-苯并咪唑基硫代)乙基]铵0.03份、去离子水1000份;所述的氯离子由盐酸提供;/n所述的聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物购自南通展亿化工有限公司,牌号为L64;/n所述的氯化二甲基苄基[2-(2-苯并咪唑基硫代)乙基]铵的制备方法,至少包括以下步骤:/na.在烧瓶中加0.24mol二氯亚砜,冰水浴冷却,不断搅拌,于0.5h内滴加0.23mol的2-二甲胺基乙醇;然后移去冰浴,空气浴加热,控制温度在45℃继续搅拌1h;接着加入100mL无水乙醇,以分解剩余的二氯亚砜;3h后,停止加热,搅拌,趁热过滤,冷却,干燥,得到白色晶体N-(2-氯乙基)二甲胺盐酸盐;/nb.在烧瓶中加入0.10mol 2-巯基苯并咪唑、80mL苯、0.10mol N-(2-氯乙基)二甲胺盐酸盐和10mL水,控制温度在60℃,搅拌1h;0.5h内滴加45mL 20wt%的NaOH,再搅拌1h;冷却,除去水相,用水冲洗有机相3次;然后用硫酸钠干燥,减压蒸馏得2-(2-甲胺基乙基)硫代苯并咪唑;/nc.在烧瓶中加2-(2-甲胺基乙基)硫代苯并咪唑0.036mol、苄基氯0.072mol,室温下搅拌lh;加入20mL苯,再搅拌3h,过滤;最后用乙醚重结晶,得到氯化二甲基苄基[2-(2-苯并咪唑基硫代)乙基]铵;/n所述的第二电镀工艺使用的电镀液的制备方法,至少包括以下步骤:/n按照重量份,将硫酸缓慢加入到去离子水中,不断搅拌,待溶液冷却后向其中加入硫酸铜和氯离子,搅拌溶解后加入聚二硫二丙烷磺酸钠、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、氯化二甲基苄基[2-(2-苯并咪唑基硫代)乙基]铵,继续搅拌0.5h,静置在室温下陈化12h即获得酸性硫酸铜电镀液;/n所述的第二电镀工艺的工艺参数为:电流密度1.5A/dm
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