[发明专利]n型太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201711047569.3 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107863417A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 李华;靳玉鹏 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 文雯 |
地址: | 225300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种n型太阳能电池的制备方法,通过对n型硅基底进行表面织构化及清洗;在硅基底正面进行发射极制备;进行绝缘处理;进行背表面场和背面钝化层的制备;正面的钝化及减反射膜制备;在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层;进行第一热处理过程;进行第二热处理过程;相对比一次热处理过程,本发明中的两次热处理过程可以降低电池电极的接触电阻和串联电阻;可以降低烧结温度,减少高温烧结对电池的发射极和表面场的钝化性能的影响;可以拓宽电池烧结工艺窗口,两次的热处理使得钝化膜的氢钝化性能得到了提升,提高了整体电性能转换效率,从而使得钝化性能和接触性能等同时达到最佳。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种n型太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤,步骤1、对n型硅基底进行表面织构化及清洗;步骤2、在硅基底正面进行发射极制备;步骤3、进行绝缘处理;步骤4、进行背表面场和背面钝化层的制备;步骤5、正面的钝化及减反射膜制备;步骤6、在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层;步骤7、进行第一热处理过程;步骤8、进行第二热处理过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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