[发明专利]n型太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，

步骤1、对n型硅基底进行表面织构化及清洗；

步骤2、在硅基底正面进行发射极制备；

步骤3、进行绝缘处理；

步骤4、进行背表面场和背面钝化层的制备；

步骤5、正面的钝化及减反射膜制备；

步骤6、在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；

步骤7、进行第一热处理过程；

步骤8、进行第二热处理过程。

2.如权利要求1所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤1中发射极制备采用直接在基底上掺杂形成的p型同质发射极，或在基底表面沉积掺杂的多晶硅或非晶硅层形成的异质发射极。

3.如权利要求2所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：采用异质发射极的制备时，在n型硅基底和掺杂非晶硅或多晶硅之间生长一薄层隧穿钝化层。

4.如权利要求1所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤4中，背表面场为直接在基底上掺杂形成的局部或非局部n型掺杂表面场，背表面场采用直接在基底上进行n型掺杂形成的同质表面场，或背表面场采用在基底上沉积的n型掺杂多晶硅或非晶硅形成的异质表面场。

5.如权利要求4所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：异质表面场的制备时，在硅基底和掺杂多晶硅或非晶硅之间形成一薄层隧穿钝化层。

6.如权利要求3或5所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤4中，薄层隧穿钝化层采用本征非晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一种，薄层隧穿钝化层的厚度0.5nm~3nm。

7.如权利要求1所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤6中，图形化形成电极浆料层的方法采用印刷方法、喷墨、激光转印或3D打印方法。

8.如权利要求1所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：第一热处理过程使用的峰值温度为500~950℃。

9.如权利要求1所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤4、步骤5中，钝化处理过程中使用原子层沉积方法或增强型等离子气相沉积方法或热生长方法形成的氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅或者它们中的两个或两个以上的组合物进行钝化。

10.如权利要求1所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：第二热处理方法为激光辐照处理方法或快速热处理方法。

11.如权利要求10所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：激光辐照方法使用的激光器的波长是300~1100nm。

12.如权利要求10所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：激光辐照处理方法采用超过太阳能电池尺寸的大光斑一次照射，或使用小于太阳能电池面积的光斑进行扫描式辐照，辐照次数为一次及以上。

13.如权利要求10所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：激光辐照方法对整个电池表面进行辐照或仅对电极区域进行辐照处理。

14.如权利要求10所述的n型太阳能电池的制备方法，其特征在于：快速热处理方法使用的峰值温度为600~1000℃。