[发明专利]一种g‑C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201711038710.3 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107617443A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 谢腾峰;毕玲玲;孟德栋;王德军 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | B01J27/185 | 分类号： | B01J27/185;C01B3/04 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 刘世纯,王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种g‑C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒、制备方法及其在光催化分解水制氢中的应用，属于光催化分解水制氢技术领域。其首先是制备g‑C3N4粉末颗粒，然后将200～400mg上述g‑C3N4粉末颗粒，加入10～30mL二次蒸馏水，超声1～3h后搅拌1～3h；再加入10～150mg镍源、10～150mg钴源，超声5～20min后搅拌5～20min，再加入50～600mg磷源，超声1～3h后搅拌1～3h；然后在50～80℃条件下干燥，待水完全挥发后将产物充分研磨；再在氮气氛围、200～400℃条件下煅烧1～3h；最后用二次蒸馏水和乙醇离心洗涤，离心产物在真空条件下干燥10～20h，从而得到g‑C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 c3n4 表面 原位 生长 nicop 纳米 颗粒 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种g‑C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒的制备方法，其步骤如下：(1)制备g‑C3N4粉末颗粒称取5～20g三聚氰胺，在500～600℃条件下煅烧1～3h；煅烧结束自然冷却至室温后，将产物研磨至均匀粉末；称取上述粉末300～600mg，加入30～50mL二次蒸馏水，超声1～3h后再搅拌10～20h，然后离心，离心产物干燥后再研磨，得到g‑C3N4粉末颗粒；(2)制备g‑C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒①称取200～400mg上述g‑C3N4粉末颗粒，加入10～30mL二次蒸馏水，超声1～3h后搅拌1～3h；②向步骤①得到的溶液中加入10～150mg镍源和10～150mg钴源，超声5～20min后搅拌5～20min，得到澄清溶液后再加入50～600mg磷源，超声1～3h后搅拌1～3h；③将步骤②得到的溶液在50～80℃条件下干燥，待水完全挥发后将产物充分研磨；④将步骤③得到的研磨产物在氮气氛围、200～400℃条件下煅烧1～3h；⑤将步骤④得到的煅烧产物分别用二次蒸馏水和乙醇离心洗涤，离心产物在真空条件下干燥10～20h，从而得到g‑C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒。
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