[发明专利]一种g‑C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种g-C₃N₄表面原位生长的NiCoP纳米颗粒的制备方法，其步骤如下：

(1)制备g-C₃N₄粉末颗粒

称取5～20g三聚氰胺，在500～600℃条件下煅烧1～3h；煅烧结束自然冷却至室温后，将产物研磨至均匀粉末；称取上述粉末300～600mg，加入30～50mL二次蒸馏水，超声1～3h后再搅拌10～20h，然后离心，离心产物干燥后再研磨，得到g-C₃N₄粉末颗粒；

(2)制备g-C₃N₄表面原位生长的NiCoP纳米颗粒

①称取200～400mg上述g-C₃N₄粉末颗粒，加入10～30mL二次蒸馏水，超声1～3h后搅拌1～3h；

②向步骤①得到的溶液中加入10～150mg镍源和10～150mg钴源，超声5～20min后搅拌5～20min，得到澄清溶液后再加入50～600mg磷源，超声1～3h后搅拌1～3h；

③将步骤②得到的溶液在50～80℃条件下干燥，待水完全挥发后将产物充分研磨；

④将步骤③得到的研磨产物在氮气氛围、200～400℃条件下煅烧1～3h；

⑤将步骤④得到的煅烧产物分别用二次蒸馏水和乙醇离心洗涤，离心产物在真空条件下干燥10～20h，从而得到g-C₃N₄表面原位生长的NiCoP纳米颗粒。

2.如权利要求1所述的一种g-C₃N₄表面原位生长的NiCoP纳米颗粒的制备方法，其特征在于：步骤(1)中的升温速度为3～8℃/min。

3.如权利要求1所述的一种g-C₃N₄表面原位生长的NiCoP纳米颗粒的制备方法，其特征在于：步骤(2)②中所述的镍源为NiCl₂.6H₂O，钴源为Co(NO₃)₂·6H₂O，磷源为NaH₂PO₂·3H₂O。

4.如权利要求1所述的一种g-C₃N₄表面原位生长的NiCoP纳米颗粒的制备方法，其特征在于：步骤(2)④中所述的升温速率为1～3℃/min。

5.一种g-C₃N₄表面原位生长的NiCoP纳米颗粒，其特征在于：是由权利要求1～4任何一项所述的方法制备得到。

6.权利要求5所述的g-C₃N₄表面原位生长的NiCoP纳米颗粒在光催化分解水制氢中的应用。