[发明专利]一种g‑C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒、制备方法及其应用在审
申请号: | 201711038710.3 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN107617443A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 谢腾峰;毕玲玲;孟德栋;王德军 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | B01J27/185 | 分类号: | B01J27/185;C01B3/04 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 刘世纯,王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 c3n4 表面 原位 生长 nicop 纳米 颗粒 制备 方法 及其 应用 | ||
技术领域
本发明属于光催化分解水制氢技术领域,具体涉及一种g-C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒、制备方法及其在光催化分解水制氢中的应用。
背景技术
面对日益严峻的环境污染问题与能源短缺问题,寻找可代替的新型、无污染、环保型能源是我们急需解决的问题。清洁能源氢能由于环保、无污染、清洁等诸多优点而备受关注,一定程度上可以缓解能源与环境问题。而光催化分解水制氢是一种有效制氢的手段。
对于光催化反应,选择合适的光催化剂尤为重要。目前,半导体光催化剂如CdS、TiO2、ZnO等被广泛研究在光催化分解水制氢领域,表现出优异的光催化活性。然而,由于制备复杂、可见光利用率低等缺点使其在应用中受到限制。近年来,石墨相氮化碳(g-C3N4)由于不含金属、合适的导价带位置、制备简单、稳定的化学性质和热力学性质,在光催化领域研究备受关注。但是由于体相严重的光生电荷复合现象,单纯的g-C3N4的光解水制氢活性还不是很理想。
贵金属Pt是很好的光催化助催化剂,首先可以提高光生电荷分离效率,有效抑制光生电荷的复合,同时Pt可以降低反应过电位进而有利于析氢反应的进行。但是高昂的价格以及地球含量稀缺限制了其大规模应用。因此,寻找可代替的非贵金属助催化剂成为光催化反应的关键问题。过渡金属(Fe、Co、Ni)基助催化剂由于价格低廉、地球含量丰富广泛应用在光催化和电催化分解水研究中。
相比于NiP和CoP,双金属基NiCoP在电化学中可以明显的降低反应过电位、显示更大的电流密度,但是在光电化学研究很少,也没有在光催化分解水中的研究。传统制备磷化物的方法比较复杂,实验制备条件要求比较苛刻,一般是在有机溶剂中制备并且需在有机溶剂中离心洗涤。此外,为了防止磷化物纳米颗粒团聚现象,制备或保存磷化物一般需要加入表面活性剂防止其团聚。而且,文献中将制备好的磷化物在机械搅拌下与主催化剂混合在一起,由于两物质之间紧密结合力不够而活性不够好。我们利用简单的一步法直接在g-C3N4表面原位生长NiCoP纳米颗粒,有效的避免了NiCoP的团聚问题。
发明内容
本发明的目的是克服传统磷化物比较复杂、实验条件比较苛刻的制备方法,一步法将NiCoP原位生长在g-C3N4上,从而提供一种简单易制备、低成本的g-C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒、制备方法及其在光催化分解水制氢中的应用。
本发明所述的一种g-C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒的制备方法,其步骤如下:
(1)制备g-C3N4粉末颗粒:称取5~20g三聚氰胺,在500~600℃条件下煅烧1~3h,升温速度为3~8℃/min;煅烧结束自然冷却至室温后,将产物研磨至均匀粉末;为了得到更均匀的粉末颗粒,称取上述样品300~600mg,加入30~50mL二次蒸馏水,超声1~3h后再搅拌10~20h,然后离心,离心产物干燥后再研磨,得到g-C3N4粉末颗粒;
(2)制备g-C3N4表面原位生长的NiCoP纳米颗粒(NiCoP/g-C3N4):
①称取200~400mg上述g-C3N4粉末颗粒,加入10~30mL二次蒸馏水,超声1~3h后搅拌1~3h;
②向步骤①得到的溶液中加入10~150mg镍源(NiCl2·6H2O)和10~150mg钴源(Co(NO3)2·6H2O),超声5~20min后搅拌5~20min,得到澄清溶液后再加入50~600mg磷源(NaH2PO2·3H2O),超声1~3h后搅拌1~3h;
③将步骤②得到的溶液在50~80℃条件下干燥,待水完全挥发后将产物充分研磨;
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