[发明专利]薄膜电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201711035623.2 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108933041A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 苏伟志 | 申请（专利权）人： | 中华精测科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示提供一种薄膜电容及其制造方法。薄膜电容包含：一介电层，以及一对石墨烯层，分别设置在所述介电层的相对两侧，以作为所述薄膜电容的电极。所述电极可进一步包括一对金属层位在所述石墨烯层之外。本揭示可解决习用薄膜电容因在制造过程中金属离子因高温扩散进入介电层，导致电容效果不佳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电容 石墨烯层 介电层 电极 高温扩散 金属离子 相对两侧 制造过程 金属层 电容 电层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电容，其特征在于，包含：一介电层；以及一对石墨烯层，分别设置在所述介电层的相对两侧，以作为所述薄膜电容的电极。
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