[发明专利]薄膜电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201711035623.2 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108933041A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 苏伟志 | 申请（专利权）人： | 中华精测科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜电容 石墨烯层 介电层 电极 高温扩散 金属离子 相对两侧 制造过程 金属层 电容 电层 制造 | ||
1.一种薄膜电容，其特征在于，包含：
一介电层；以及
一对石墨烯层，分别设置在所述介电层的相对两侧，以作为所述薄膜电容的电极。
2.如权利要求1所述的薄膜电容，其特征在于，每一所述石墨烯层的厚度介于0.3纳米至10微米之间。
3.如权利要求1所述的薄膜电容，其特征在于，所述薄膜电容的所述电极还包含一对金属层，分别设置在所述对石墨烯层的相对两外侧，如此其中之一所述石墨烯层设置在所述介电层与其中之一所述金属层之间。
4.如权利要求3所述的薄膜电容，其特征在于，每一所述金属层的厚度介于1微米至30微米之间。
5.如权利要求1所述的薄膜电容，其特征在于，所述介电层的厚度介于200纳米至800纳米之间。
6.如权利要求1所述的薄膜电容，其特征在于，所述介电层的材料选自于BaTiO3、Ta2O5、TiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3、La2O3、Pr2O3及上述任意组合的其中之一。
7.一种薄膜电容的制作方法，其特征在于，包含：
形成一第一石墨烯层；
在所述第一石墨烯层上形成一介电层；以及
在所述介电层上形成一第二石墨烯层，使得所述介电层位在所述第一石墨烯层与所述第二石墨烯层之间。
8.如权利要求7所述的薄膜电容的制作方法，其特征在于，形成所述第一石墨烯层的步骤还包含：
形成一第一金属层；以及
在所述第一金属层上形成所述第一石墨烯层。
9.如权利要求8所述的薄膜电容的制作方法，其特征在于，形成所述第一金属层的步骤还包含：
提供一绝缘基板；
在所述绝缘基板上形成一金属层；以及
对所述金属层进行一光刻工艺以形成所述第一金属层。
10.如权利要求8所述的薄膜电容的制作方法，其特征在于，在形成所述第二石墨烯层之后还包含：在所述第二石墨烯层上形成一第二金属层。
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