[发明专利]一种用于DC/DC斩波电路的单片集成半导体芯片及制备方法

摘要

本发明实施例提供一种用于DC/DC斩波电路的单片集成半导体芯片及制备方法。所述半导体芯片在同一个外延片上集成BJT和二极管，其中外延片上至少包括衬底层、隔离层、N‑层、P‑层和N+表面层，其中隔离层位于衬底层和N‑层中间，P‑层位于N‑层和N+表面层中间，BJT至少包括所述N‑层、所述P‑层和所述N+表面层，二极管至少包括所述N‑层，所述BJT和二极管由沟槽间隔。在同一个外延片上通过金属键合技术实现BJT和二极管之间的连接，实现整个单片集成。本发明实施例提供的用于DC/DC电路的单片集成的半导体芯片减小了系统的体积和重量，并显著减小了电路中杂散参数，有利于提高电路的可靠性和电磁兼容性。

主权项

一种用于DC/DC斩波电路的单片集成的半导体芯片，其特征在于，包括：在同一个外延片上集成BJT和二极管，其中所述外延片上至少包括衬底层、隔离层、N‑层、P‑层和N+表面层，其中所述隔离层位于所述衬底层和所述N‑层中间，所述P‑层位于所述N‑层和所述N+表面层中间，所述BJT至少包括所述N‑层、所述P‑层和所述N+表面层，所述二极管至少包括所述N‑层，所述BJT和所述二极管由沟槽间隔，其中所述沟槽中填充绝缘物质。