[发明专利]晶圆的清洗方法在审
申请号: | 201711026883.3 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN109727841A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 黄海冰 | 申请(专利权)人: | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/08;B08B3/04;B08B3/02 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 523087 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的晶圆清洗方法包括:提供包含旋转台和喷嘴的清洗机;将晶圆固定在所述旋转台上,所述喷嘴置于所述晶圆的上方并对准所述晶圆的中心;控制所述旋转台旋转,并控制所述喷嘴喷出氨水以清洗所述晶圆的中心;控制所述喷嘴自所述晶圆的中心沿直径方向在所述晶圆的一侧边缘和所述晶圆的另一侧边缘来回移动,以清洗所述晶圆;其中,所述氨水按照1L去离子水配400‑500mL氨的比例配制,所述氨水的温度为150‑190℃,所述旋转台的转速为700‑800rmp。该方法可高效、快速去除晶圆上的残留胶片,从而节省时间成本和人力成本。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 氨水 喷嘴 旋转台 清洗 一侧边缘 比例配制 晶圆清洗 快速去除 去离子水 人力成本 时间成本 喷嘴喷 清洗机 胶片 对准 残留 移动 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆的清洗方法,包括:提供包含旋转台和喷嘴的清洗机;将晶圆固定在所述旋转台上,所述喷嘴置于所述晶圆的上方并对准所述晶圆的中心;控制所述旋转台旋转,并控制所述喷嘴喷出氨水以清洗所述晶圆的中心;控制所述喷嘴自所述晶圆的中心沿直径方向在所述晶圆的一侧边缘和所述晶圆的另一侧边缘来回移动,以清洗所述晶圆;其特征在于:所述氨水按照1L去离子水配400‑500mL氨的比例配制,所述氨水的温度为150‑190℃,所述旋转台的转速为700‑800rmp。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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