[发明专利]LED倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法在审
| 申请号： | 201711017377.8 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107863423A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 华斌;张秀敏;闫晓密;黄慧诗 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,屠志力 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法，包括以下步骤步骤S1，以正常倒装芯片工艺完成LED芯片前道工序制作，直至蓝宝石衬底减薄抛光工艺完成，从上至下结构包括减薄后的蓝宝石衬底、GaN外延层、倒装芯片的电极；步骤S2，在蓝宝石衬底背面表面涂覆光刻胶，通过激光直写曝光完成光刻工艺；步骤S3，曝光显影后在蓝宝石衬底背面表面形成预设的光刻胶图形，再以ICP干法刻蚀工艺对蓝宝石衬底背面表面进行刻蚀；步骤S4，将残留光刻胶去除后，在蓝宝石衬底背面表面形成图形。 | ||
| 搜索关键词： | led 倒装 芯片 蓝宝石 光面 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，以正常倒装芯片工艺完成LED芯片前道工序制作，直至蓝宝石衬底减薄抛光工艺完成，从上至下结构包括：减薄后的蓝宝石衬底(1)、GaN外延层(2)、倒装芯片的电极(3)；步骤S2，在蓝宝石衬底(1)背面表面涂覆光刻胶(4)，通过激光直写曝光(5)完成光刻工艺；步骤S3，曝光显影后在蓝宝石衬底(1)背面表面形成预设的光刻胶图形(6)，再以ICP干法刻蚀工艺(7)对蓝宝石衬底(1)背面表面进行刻蚀；步骤S4，将残留光刻胶去除后，在蓝宝石衬底(1)背面表面形成图形(8)。
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