[发明专利]一种制作磁性随机存储器单元阵列及其周围电路的方法有效
| 申请号： | 201711011785.2 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109713121B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;张云森;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作磁性随机存储器单元阵列及其周围电路的方法，步骤如下：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在其上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属铜；(2)在底电极通孔上制作底电极接触；(3)在存储区域制作磁性隧道结结构单元，磁性隧道结结构单元由底种子层、磁性隧道结多层膜和顶硬掩膜层组成；(4)在逻辑区域制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属铜连线。由于在磁性隧道结的下面增加了一层底电极接触，有效的避免了CMOS后段铜通孔与制作磁性隧道结阵列中的刻蚀工艺直接接着，有利于器件电学性能和良率的提升，同时极大地降低了工艺复杂程度和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 磁性 随机 存储器 单元 阵列 及其 周围 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作磁性随机存储器单元阵列及其周围电路的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在所述基底上制作底电极通孔，然后在所述底电极通孔中填充金属铜；步骤2：在所述底电极通孔上制作底电极接触；步骤3：在存储区域制作磁性隧道结结构单元，所述磁性隧道结结构单元由底种子层、磁性隧道结多层膜和顶硬掩膜层组成；步骤4：在逻辑区域制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属铜连线。
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