[发明专利]一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器，包括N型硅片，其制作方法主要包括N型衬底准备——氧化层生长——P+隔离区光刻，预扩散再分布——P‑BASE区中P+区光刻，扩散——背面N+光刻，预扩散再分布——P‑BASE区和背面P+区光刻，扩散——P‑BASE区中N+区光刻，扩散——表面BPSG钝化——接触孔光刻、刻蚀——金属淀积、光刻、刻蚀——合金、退火等。本发明通过体内电场的优化，设计多路表面并联半导体保护器，集成了多个晶闸管浪涌抑制器的功率所形成的保护电路，具有多通道过压保护功能，芯片在工作中，电流横向流动，衬底功率为零。该工艺降低了封装工艺的难度，从三颗单独的芯片整合成单颗集成度高的芯片。

主权项

一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器，包括N型硅片（1），其特征在于：所述N型硅片（1）上分布有隔离区P+（2），所述N型硅片（1）表面生长有氧化层（8），所述N型硅片（1）正面有三个区域光刻有P‑BASE区（3），所述P‑BASE区（3）光刻有P+区（4）和N+区（5）,所述N型硅片（1）背面有两个区域光刻有N+区（6）和P+区（7），在所述氧化层（8）间隙刻蚀有电极（9），所述N型硅片（1）背面刻蚀有金属层（10）。