[发明专利]QLED器件的制作方法及QLED器件在审
| 申请号： | 201711003248.3 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107833976A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吴元均;袁伟;矫士博;徐征 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种QLED器件的制作方法及QLED器件。本发明的QLED器件的制作方法通过在量子点材料中掺杂价带能级介于量子点材料的价带能级和第一空穴传输材料的价带能级之间的第二空穴传输材料形成混合发光层，利用第一空穴传输材料与该掺杂的第二空穴传输材料之间的阶梯型势垒增强空穴的注入，同时，具有更高价带能级的第一空穴传输材料能够将电子阻挡在空穴传输层靠近阴极的一侧，减弱电子向混合发光层的注入，从而促进混合发光层中载流子的平衡，提高载流子复合效率，进而提高QLED器件的发光效率和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种QLED器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成阳极(20)；步骤2，在所述阳极(20)上形成空穴注入层(30)；步骤3，在所述空穴注入层(30)上形成空穴传输层(40)，所述空穴传输层(40)的材料为第一空穴传输材料；步骤4，在所述空穴传输层(40)上形成混合发光层(50)，所述混合发光层(50)包括第二空穴传输材料和量子点材料，且所述第二空穴传输材料的价带能级介于所述第一空穴传输材料的价带能级和所述量子点材料的价带能级之间；步骤5，在所述混合发光层(50)上形成电子传输层(60)；步骤6，在所述电子传输层(60)上形成阴极(70)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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