[发明专利]一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法在审
| 申请号： | 201711000090.4 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107731970A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 马昆旺;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，包括以下步骤首先，采用MOCVD技术，在衬底上依次生长未掺杂的GaN缓冲层、N型GaN层和有源层；然后，在有源层上生长电流阻挡层，注入Mg源；最后，在电流阻挡层上依次生长P型低温GaN层和P型高温GaN层。利用本发明的方法可制造出具有特殊电流阻挡层的LED外延结构，能够有效避免电子溢出至P型低温GaN层和P型高温GaN层，同时有利于空穴扩展，能够显著提高空穴浓度以及大幅提升晶体亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 阻挡 led 外延 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤:A、采用MOCVD技术，在衬底上依次生长未掺杂的GaN缓冲层、N型GaN层和有源层；B、在所述有源层上生长电流阻挡层，注入Mg源；C、在所述电流阻挡层上依次生长P型低温GaN层和P型高温GaN层。
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