[发明专利]一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法

权利要求书

1.一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤:

A、采用MOCVD技术，在衬底上依次生长未掺杂的GaN缓冲层、N型GaN层和有源层；

B、在所述有源层上生长电流阻挡层，注入Mg源；

C、在所述电流阻挡层上依次生长P型低温GaN层和P型高温GaN层。

2.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层的生长温度为800-900℃，生长压力为300-800mbar。

3.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层为由掺Mg的AlGaN势垒层和GaN势阱层间隔交替组成的超晶格层。

4.根据权利要求3所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，其中Al的掺杂浓度是1E17-1E18atom/cm³，Mg的掺杂浓度为1E15-1E16atom/cm³。

5.根据权利要求3所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述AlGaN势垒层和GaN势阱层间隔交替的次数为4-6，所述AlGaN势垒层和GaN势阱层的厚度比在2:1到3:1之间。

6.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述P型低温GaN层的生长温度为600-700℃，生长压力为300-800mbar。

7.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述P型高温GaN层的生长温度为900-1050℃，生长压力为300-800mbar。

8.根据权利要求1-7任一所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述N型GaN层的生长压力为300-800mbar，生长温度为1000-1250℃。

9.根据权利要求8所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述有源层为由InGaN势阱层和GaN势垒层间隔交替组成的超晶格层，In的掺杂浓度为1E19-3E20atom/cm³。

10.根据权利要求9所述的一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述InGaN势阱层和GaN势垒层间隔交替的次数为8-15，所述InGaN势阱层和GaN势垒层的厚度比在1:1到50:1之间。