[发明专利]CMOS图像传感器的晶圆级封装方法有效

专利信息
申请号: 201710998240.9 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN107994039B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 赵立新;邓辉 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法,提供第一晶圆,第一晶圆具有多个图像传感器芯片,图像传感器芯片相互之间具有切割道,图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域,感光区域上具有像素单元,非感光区域上具有焊盘;提供塑模,塑模的第一表面有若干第一凹槽,第一凹槽对应于感光区域和部分非感光区域;贴附金属薄片于塑模的第一表面,去除对应于第一凹槽的部分金属薄片;弯折金属薄片至贴附于第一凹槽的侧表面;于第一凹槽中粘合透光盖板;将塑模的第一表面与第一晶圆进行键合,焊盘与金属薄片的水平区域电气连接;去除塑模,暴露出透光盖板、金属薄片,填充覆盖金属薄片之间的第二凹槽;沿切割道切割键合的晶圆形成封装件。
搜索关键词: cmos 图像传感器 晶圆级 封装 方法
【主权项】:
一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆具有多个图像传感器芯片,所述图像传感器芯片相互之间具有切割道,所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域,所述感光区域上具有像素单元,所述非感光区域上具有焊盘;提供塑模,所述塑模的第一表面有若干第一凹槽,所述第一凹槽对应于图像传感器芯片的感光区域和部分非感光区域;贴附金属薄片于所述塑模的第一表面,去除对应于所述第一凹槽的部分金属薄片;弯折金属薄片至贴附于所述第一凹槽的侧表面;于所述第一凹槽中粘合透光盖板;将所述塑模的第一表面与第一晶圆进行键合,所述焊盘与金属薄片的水平区域电气连接;去除塑模,暴露出透光盖板、金属薄片,填充覆盖金属薄片之间的第二凹槽;沿所述切割道切割键合的晶圆形成封装件。
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