[发明专利]CMOS图像传感器的晶圆级封装方法有效
申请号: | 201710998240.9 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN107994039B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 赵立新;邓辉 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法,提供第一晶圆,第一晶圆具有多个图像传感器芯片,图像传感器芯片相互之间具有切割道,图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域,感光区域上具有像素单元,非感光区域上具有焊盘;提供塑模,塑模的第一表面有若干第一凹槽,第一凹槽对应于感光区域和部分非感光区域;贴附金属薄片于塑模的第一表面,去除对应于第一凹槽的部分金属薄片;弯折金属薄片至贴附于第一凹槽的侧表面;于第一凹槽中粘合透光盖板;将塑模的第一表面与第一晶圆进行键合,焊盘与金属薄片的水平区域电气连接;去除塑模,暴露出透光盖板、金属薄片,填充覆盖金属薄片之间的第二凹槽;沿切割道切割键合的晶圆形成封装件。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆具有多个图像传感器芯片,所述图像传感器芯片相互之间具有切割道,所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域,所述感光区域上具有像素单元,所述非感光区域上具有焊盘;提供塑模,所述塑模的第一表面有若干第一凹槽,所述第一凹槽对应于图像传感器芯片的感光区域和部分非感光区域;贴附金属薄片于所述塑模的第一表面,去除对应于所述第一凹槽的部分金属薄片;弯折金属薄片至贴附于所述第一凹槽的侧表面;于所述第一凹槽中粘合透光盖板;将所述塑模的第一表面与第一晶圆进行键合,所述焊盘与金属薄片的水平区域电气连接;去除塑模,暴露出透光盖板、金属薄片,填充覆盖金属薄片之间的第二凹槽;沿所述切割道切割键合的晶圆形成封装件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的