[发明专利]光罩优化方法和光学临近修正方法有效
| 申请号： | 201710995774.6 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109696796B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张敏;杜杳隽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;卜璐璐 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光罩优化方法和光学临近修正方法。所述光罩优化方法包括：从光学临近修正后产生的图形中查找待移除图形，所述待移除图形的两个相对的边缘之间的距离小于预定阈值；以及从所述光学临近修正后产生的图形中移除所有所述待移除图形。本发明所提供的光罩优化方法和光学临近修正方法在光学临近修正阶段系统地移除图形中的凸出或凹入部分，使得最终的光罩图案不存在小宽度曝光单元，从而可以减少光罩制造机的错误，提高光刻曝光的稳定性和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 方法 光学 临近 修正 | ||
【主权项】：
1.一种光罩优化方法，其特征在于，所述光罩优化方法包括：从光学临近修正后产生的图形中查找待移除图形，所述待移除图形的两个相对的边缘之间的距离小于预定阈值；以及从所述光学临近修正后产生的图形中移除所有所述待移除图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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