[发明专利]光罩优化方法和光学临近修正方法

说明书

本发明提供一种光罩优化方法和光学临近修正方法。所述光罩优化方法包括：从光学临近修正后产生的图形中查找待移除图形，所述待移除图形的两个相对的边缘之间的距离小于预定阈值；以及从所述光学临近修正后产生的图形中移除所有所述待移除图形。本发明所提供的光罩优化方法和光学临近修正方法在光学临近修正阶段系统地移除图形中的凸出或凹入部分，使得最终的光罩图案不存在小宽度曝光单元，从而可以减少光罩制造机的错误，提高光刻曝光的稳定性和质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种光罩(mask)优化方法和光学临近修正(Optical Proximity Correction，OPC)方法。

背景技术

光学临近修正系统设置对初始设计的偏差以形成最终的光罩图案。随后，光罩制造机(mask writer)使用电子束将光学临近修正系统形成的光罩图案转移到光罩来制作光罩。在制造光罩的过程中，需要把光罩的图形数据打碎(fracture，也称为切分)成一个一个的曝光单元(shot)，然后对逐个曝光单元进行曝光以形成最终的光罩。

然而，如果光学临近修正系统形成的光罩图案包括凸出或凹入部分(称为jogshift)，即图形两个平行的对边相互投影时没有形成重合的那一段投影区域(大部分情况是两个对边长短不一样或者两个对边存在一定程度的错位引起的)，由于jog shift非常小的宽度(因此jog shift也可称为小宽度曝光单元)，将给光罩制造机制造光罩带来巨大麻烦。

发明内容

为了解决上述问题而提出了本发明。根据本发明的一方面，提供了一种光罩优化方法，所述光罩优化方法包括：从光学临近修正后产生的图形中查找待移除图形，所述待移除图形的两个相对的边缘之间的距离小于预定阈值；以及从所述光学临近修正后产生的图形中移除所有所述待移除图形。

在本发明的一个实施例中，所述移除所有所述待移除图形包括针对每一个待移除图形执行以下的操作：查找与该待移除图形相邻的第一相邻图形和第二相邻图形，其中，所述第一相邻图形的第一边缘与该待移除图形的所述两个相对的边缘中的一边缘重合，所述第二相邻图形的第二边缘与该待移除图形的所述两个相对的边缘中的另一边缘重合；以及将所述第一相邻图形的第一边缘和所述第二相邻图形的第二边缘朝着彼此移动，直到所述第一边缘和所述第二边缘重合为止。

在本发明的一个实施例中，所述第一边缘和所述第二边缘移动的距离相等。

在本发明的一个实施例中，所述第一边缘和所述第二边缘移动的距离不相等。

在本发明的一个实施例中，所述预定阈值的取值范围为15纳米到25纳米。

在本发明的一个实施例中，所述预定阈值为20纳米。

在本发明的一个实施例中，所述光罩优化方法还包括：在移除所有所述待移除图形之后，进行光学临近修正修复和光学临近修正验证。

在本发明的一个实施例中，所述光罩优化方法还包括：将所述光学临近修正验证之后得到的图形切分为多个曝光单元，并由光罩制造机对所述多个曝光单元逐个曝光以完成整个光罩的曝光。

在本发明的一个实施例中，所述光学临近修正为基于模型的光学临近修正。

根据本发明的另一方面，提供了一种光学临近修正方法，所述光学临近修正方法包括光学临近修正建模步骤、光罩优化步骤、光学临近修正修复步骤以及光学临近修正验证步骤，其中，所述光罩优化步骤实施上面所述的光罩优化方法。

本发明所提供的光罩优化方法和光学临近修正方法在光学临近修正阶段系统地移除图形中的凸出或凹入部分(jog shift)，使得最终的光罩图案不存在小宽度曝光单元，从而可以减少光罩制造机的错误，提高光刻曝光的稳定性和质量。

附图说明