[发明专利]光罩优化方法和光学临近修正方法有效

专利信息
申请号: 201710995774.6 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN109696796B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 张敏;杜杳隽 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟;卜璐璐
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 优化 方法 光学 临近 修正
【权利要求书】:

1.一种光罩优化方法,其特征在于,所述光罩优化方法包括:

从光学临近修正后产生的图形中查找待移除图形,所述待移除图形的两个相对的边缘之间的距离小于预定阈值;以及

从所述光学临近修正后产生的图形中移除所有所述待移除图形;

所述移除所有所述待移除图形包括针对每一个待移除图形执行以下的操作:

查找与该待移除图形相邻的第一相邻图形和第二相邻图形,其中,所述第一相邻图形的第一边缘与该待移除图形的所述两个相对的边缘中的一边缘重合,所述第二相邻图形的第二边缘与该待移除图形的所述两个相对的边缘中的另一边缘重合;以及

将所述第一相邻图形的第一边缘和所述第二相邻图形的第二边缘朝着彼此移动,直到所述第一边缘和所述第二边缘重合为止。

2.根据权利要求1所述的光罩优化方法,其特征在于,所述第一边缘和所述第二边缘移动的距离相等。

3.根据权利要求1所述的光罩优化方法,其特征在于,所述第一边缘和所述第二边缘移动的距离不相等。

4.根据权利要求1所述的光罩优化方法,其特征在于,所述预定阈值的取值范围为15纳米到25纳米。

5.根据权利要求1所述的光罩优化方法,其特征在于,所述预定阈值为20纳米。

6.根据权利要求1所述的光罩优化方法,其特征在于,所述光罩优化方法还包括:

在移除所有所述待移除图形之后,进行光学临近修正修复和光学临近修正验证。

7.根据权利要求6所述的光罩优化方法,其特征在于,所述光罩优化方法还包括:

将所述光学临近修正验证之后得到的图形切分为多个曝光单元,并由光罩制造机对所述多个曝光单元逐个曝光以完成整个光罩的曝光。

8.根据权利要求1所述的光罩优化方法,其特征在于,所述光学临近修正为基于模型的光学临近修正。

9.一种光学临近修正方法,其特征在于,所述光学临近修正方法包括光学临近修正建模步骤、光罩优化步骤、光学临近修正修复步骤以及光学临近修正验证步骤,其中,所述光罩优化步骤实施权利要求1-5中的任一项所述的光罩优化方法。

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