[发明专利]基于标准CMOS工艺的全波导型横向多晶硅光互连系统

摘要

一种基于标准CMOS工艺的全波导型横向多晶硅光互连系统，包括由下至上依次设置的衬底、浅沟道隔离层和栅氧层，栅氧层的上端面设置有SiO2层，SiO2层内分别嵌入有：位于栅氧层的上端的光互连层和位于光互连层上方的金属光反射板，其中，光互连层包括有由左向右依次设置的第一多晶硅光电探测器、第一多晶硅光波导、多晶硅LED组、第二多晶硅光波导和第二多晶硅光电探测器，SiO2隔离层内还嵌入有用于第一多晶硅光电探测器、第二多晶硅光电探测器和多晶硅LED组与外部电源相连的若干个连线孔和贯穿连线孔的外接导线，金属光反射板上形成有用于贯穿外接导线的过线孔或过线槽。本发明充分利用LED发出光信号，增加光互连系统响应度，减少能量损耗。

主权项

一种基于标准CMOS工艺的全波导型横向多晶硅光互连系统，包括由下至上依次设置的衬底(1)、浅沟道隔离层(2)和栅氧层(3)，其特征在于，所述的栅氧层(3)的上端面设置有SiO2层(8)，所述SiO2层(8)内分别嵌入有：位于所述栅氧层(3)的上端的光互连层和位于所述光互连层上方的金属光反射板(7)，其中，所述的光互连层包括有由左向右依次设置的第一多晶硅光电探测器(4a)、第一多晶硅光波导(5a)、多晶硅LED组(6)、第二多晶硅光波导(5b)和第二多晶硅光电探测器(4b)，所述SiO2隔离层(8)内还嵌入有用于第一多晶硅光电探测器(4a)、第二多晶硅光电探测器(4b)和多晶硅LED组(6)与外部电源相连的若干个连线孔和贯穿连线孔的外接导线，所述金属光反射板(7)上形成有用于贯穿所述外接导线的过线孔或过线槽。