[发明专利]一种射频SOI芯片的封装方法及封装结构有效
| 申请号： | 201710986575.9 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109698136B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陆建刚;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频SOI芯片的封装方法及封装结构，所述封装方法包括以下步骤：S1：提供一基于SOI晶圆制造的射频器件片；S2：在器件片正面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第一塑封层；S3：去除背衬底，并在器件片背面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第二塑封层；S4：在第二塑封层中形成与射频器件焊盘位置相对应的第一通孔；S5：继续形成暴露出焊盘的第二通孔；S6：于第一通孔及第二通孔中形成与焊盘连接的导电柱。本发明通过引入3D封装/晶圆级成型/穿塑孔工艺，可以降低工艺难度。另外，通过双面成型，避免了键合硅晶圆载片，可以彻底避免硅衬底对射频信号的吸收，避免谐波畸变或损耗风险，并且有效改善SOI器件的导热性能，提高封装后模组的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 soi 芯片 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种射频SOI芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一基于SOI晶圆制造的器件片，其中，所述器件片背面为所述SOI晶圆的背衬底，所述器件片中制造有多个射频器件，且所述射频器件设有焊盘；S2：在所述器件片正面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第一塑封层；S3：去除所述背衬底，并在去除了所述背衬底的器件片背面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第二塑封层；S4：在所述第二塑封层中形成与所述焊盘位置相对应的第一通孔；S5：基于所述第一通孔在所述器件片中形成暴露出所述焊盘的第二通孔；S6：于所述第一通孔及第二通孔中形成与所述焊盘连接的导电柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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