[发明专利]一种晶圆减薄方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆减薄方法，包括步骤S1，提供一衬底，衬底包括相互隔离的边缘区和存储区，在存储区内衬底的上表面制备有通过间隔的第一隔离结构形成的凹槽；步骤S2，沉积一多晶硅层填充凹槽并覆盖第一隔离结构，以及覆盖边缘区内的衬底的上表面；步骤S3，对多晶硅层进行注入并退火；步骤S4，采用刻蚀工艺对存储区内的多晶硅层进行一次减薄；步骤S5，采用化学机械研磨工艺对存储区和边缘区内的多晶硅层进行二次减薄，直至将第一隔离结构的上表面暴露，能够应对采用化学机械研磨效果在晶圆的存储区和边缘区的产生较大差异的情况，晶圆表面平整度高，可靠性高。

主权项

一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的边缘区和存储区，在所述存储区内所述衬底的上表面制备有通过间隔的第一隔离结构形成的凹槽；步骤S2，沉积一多晶硅层填充所述凹槽并覆盖所述第一隔离结构，以及覆盖所述边缘区内的所述衬底的上表面；步骤S3，对所述多晶硅层进行注入并退火；步骤S4，采用刻蚀工艺对所述存储区内的所述多晶硅层进行一次减薄；步骤S5，采用化学机械研磨工艺对所述存储区和所述边缘区内的所述多晶硅层进行二次减薄，直至将所述第一隔离结构的上表面暴露。