[发明专利]一种晶圆减薄方法

权利要求书

1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的边缘区和存储区，在所述存储区内所述衬底的上表面制备有通过间隔的第一隔离结构形成的凹槽；

步骤S2，沉积一多晶硅层填充所述凹槽并覆盖所述第一隔离结构，以及覆盖所述边缘区内的所述衬底的上表面；

步骤S3，对所述多晶硅层进行注入并退火；

步骤S4，采用刻蚀工艺对所述存储区内的所述多晶硅层进行一次减薄；

步骤S5，采用化学机械研磨工艺对所述存储区和所述边缘区内的所述多晶硅层进行二次减薄，直至将所述第一隔离结构的上表面暴露。

2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述二次减薄后，所述存储区内的所述多晶硅层的厚度为600～700A，所述边缘区内的所述多晶硅层的厚度为500～600A。

3.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述存储区内的所述多晶硅层的厚度为2500～2600A，所述边缘区内的所述多晶硅层的厚度为1700～1900A。

4.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述凹槽的深度为700～800A。

5.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述凹槽的深度为770A。

6.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述步骤S3和所述步骤S4之间还包括：

第一中间步骤，于所述多晶硅层的上表面制备一缓冲层；

其中，所述步骤S4中，对所述存储区内的所述多晶硅层进行一次减薄之前，去除所述存储区内的所述缓冲层。

7.根据权利要求6所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述缓冲层为二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述步骤S4中，制备暴露出刻蚀位置的光罩进行所述一次减薄；

所述步骤S4和所述步骤S5之间还包括：

第二中间步骤，去除所述光罩。

9.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

10.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述衬底的所述存储区和所述绝缘区通过一第二隔离结构进行隔离。