[发明专利]一种垂直型接触孔的制备方法有效
| 申请号： | 201710971861.8 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107706147B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 谢岩 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种垂直型接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀待刻蚀层，以形成延伸至刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺刻蚀锥形通孔，将锥形通孔拓宽为垂直通孔；步骤S4，填充垂直通孔形成垂直型接触孔；能够形成形貌垂直的接触孔，导电性能优越，并且不会受到刻蚀工艺的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直型接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀所述待刻蚀层，以形成延伸至所述刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺刻蚀所述锥形通孔，将所述锥形通孔拓宽为垂直通孔；步骤S4，填充所述垂直通孔形成垂直型接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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