[发明专利]一种垂直型接触孔的制备方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种垂直型接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀待刻蚀层，以形成延伸至刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺刻蚀锥形通孔，将锥形通孔拓宽为垂直通孔；步骤S4，填充垂直通孔形成垂直型接触孔；能够形成形貌垂直的接触孔，导电性能优越，并且不会受到刻蚀工艺的限制。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种垂直型接触孔的制备方法。

背景技术

半导体制造中，接触孔是较为常见的结构，通常用于连接底层和顶层的导电介质，因此接触孔的导电性能的好坏能够影响器件的性能，甚至导致整个晶圆失效。

传统的接触孔的形貌往往呈现锥形，或者中间宽两头窄的弓形，尤其干法刻蚀工艺中容易形成这样的形貌的接触孔，但是锥形或弓形的接触孔导电性能无法满足导电性能的要求。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种垂直型接触孔的制备方法，其中，包括：

步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；

步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀所述待刻蚀层，以形成延伸至所述刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；

步骤S3，采用一第二刻蚀工艺刻蚀所述锥形通孔，将所述锥形通孔拓宽为垂直通孔；

步骤S4，填充所述垂直通孔形成垂直型接触孔。

上述的制备方法，其中，完成所述第一刻蚀工艺的刻蚀机台采用的直流电压为300～400V。

上述的制备方法，其中，完成所述第二刻蚀工艺的刻蚀机台采用的直流电压为100～200V。

上述的制备方法，其中，完成所述第一刻蚀工艺采用的气体为八氟环丁烷，或四氟化碳，或氩气，或氧气。

上述的制备方法，其中，完成所述第二刻蚀工艺采用的气体为八氟环丁烷，或四氟化碳，或氩气，或氧气。

上述的制备方法，其中，完成所述第一刻蚀工艺的刻蚀机台采用的最低射频功率为1000～1500W。

上述的制备方法，其中，完成所述第二刻蚀工艺的刻蚀机台采用的最低射频功率为1000～1500W。

上述的制备方法，其中，完成所述第一刻蚀工艺的刻蚀机台采用的最高射频功率为5000～13000W。

上述的制备方法，其中，完成所述第二刻蚀工艺的刻蚀机台采用的最高射频功率为5000～13000W。

上述的制备方法，其中，完成所述第一刻蚀工艺和所述第二刻蚀工艺的压力为40～50mTorr。

有益效果：本发明提出的一种垂直型接触孔的制备方法，能够形成形貌垂直的接触孔，导电性能优越，并且不会受到刻蚀工艺的限制。

附图说明

图1为本发明一实施例中垂直型接触孔的制备方法的步骤流程图；

图2～图5为本发明一实施例中垂直型接触孔制备的各个步骤形成的结构原理图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。

在一个较佳的实施例中，如图1所示，提出了一种垂直型接触孔的制备方法，所形成的结构可以如图2～图5所示；其中，该制备方法可以包括：

步骤S1，提供一衬底10，衬底10包括依次层叠的刻蚀停止层11以及待刻蚀层12；