[发明专利]单层石墨烯的制备方法

摘要

本发明公开了一种单层石墨烯的制备方法，将10—30份的石墨置于50°C—70°C的高温室内，并利用碾压机上压力为800N—1200N的碾压轮，反复碾压石墨15min—30min,直至石墨呈直径在0.03mm—0.06mm粉末状，本发明的有益效果是该发明一种单层石墨烯的制备方法将石墨氧化物，研磨成粉，不仅有利于石墨氧化的后面的反应，还除去了石墨氧化物内部的杂质，并通过硫酸亚铁溶液，将石墨氧化物进行还原，和后续过渡金属对石墨氧化物的还原，令石墨氧化物反应充分，制得的石墨烯纯度更高，导电、导热以及柔韧性都有所提高，且石墨烯膜经润滑后再与金属基底分离，石墨烯的完整度更高。

主权项

一种单层石墨烯的制备方法，其特征在于：包括如下工艺步骤：1)原料的准备：将10—30份的石墨置于50℃—70℃的高温室内，并利用碾压机上压力为800N—1200N的碾压轮，反复碾压石墨15min—30min,直至石墨呈直径在0.03mm—0.06mm粉末状；2)A液的制备：将步骤1)得到的石墨粉与百分比在90％以上的浓硫酸或高锰酸钾溶液混合搅拌10min—20min，后静置5min—8min；接着向其内加入2—5份乳化硅油，搅拌10min—20min，后静置5min—8min得到A液；3)B液的制备：向步骤2)得到的A液加入20—30份的硫酸亚铁溶液，搅拌3min—4min：后5—15份去离子水，搅拌3min—4min；4)B液的加热回流：将步骤3)得到B液与20—30份的钛酸四丁酯进行反应，加热回流1h—3h；5)石墨烯膜的形成：在超高真空条件下将步骤4)得到的A液通入到具有催化活性的过渡金属基底表面，后将室温升至120℃—160℃，静置1h—3h,除去基地表面水分使A液催化脱氢从而制得石墨烯，并且沉淀于过渡金属基底表面；6)石墨烯膜的润滑：将步骤5)得到的带有石墨烯膜的过渡金属基底，置于硅油或脂肪酸酰胺中，浸泡2h—4h；7)石墨烯的取出：通过专门的刮膜刀，将步骤6)得到的过渡金属基底表面的石墨烯膜刮下。