[发明专利]单层石墨烯的制备方法

权利要求书

1.一种单层石墨烯的制备方法，其特征在于：包括如下工艺步骤：

1)原料的准备：将10—30份的石墨置于50℃—70℃的高温室内，并利用碾压机上压力为800N—1200N的碾压轮，反复碾压石墨15min—30min,直至石墨呈直径在0.03mm—0.06mm粉末状；

2)A液的制备：将步骤1)得到的石墨粉与百分比在90％以上的浓硫酸或高锰酸钾溶液混合搅拌10min—20min，后静置5min—8min；接着向其内加入2—5份乳化硅油，搅拌10min—20min，后静置5min—8min得到A液；

3)B液的制备：向步骤2)得到的A液加入20—30份的硫酸亚铁溶液，搅拌3min—4min：后5—15份去离子水，搅拌3min—4min；

4)B液的加热回流：将步骤3)得到B液与20—30份的钛酸四丁酯进行反应，加热回流1h—3h；

5)石墨烯膜的形成：在超高真空条件下将步骤4)得到的A液通入到具有催化活性的过渡金属基底表面，后将室温升至120℃—160℃，静置1h—3h,除去基地表面水分使A液催化脱氢从而制得石墨烯，并且沉淀于过渡金属基底表面；

6)石墨烯膜的润滑：将步骤5)得到的带有石墨烯膜的过渡金属基底，置于硅油或脂肪酸酰胺中，浸泡2h—4h；

7)石墨烯的取出：通过专门的刮膜刀，将步骤6)得到的过渡金属基底表面的石墨烯膜刮下。

2.根据权利要求1所述的一种单层石墨烯的制备方法，其特征在于：所述刮膜刀的刃口为圆锥形，且刃口宽度为1mm—1.4mm。

3.根据权利要求1所述的一种单层石墨烯的制备方法，其特征在于：所述过渡金属为钴、镍、铜以及锌中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种单层石墨烯的制备方法，其特征在于：所述硫酸亚铁溶液的质量分数在60％以上。

5.根据权利要求1所述的一种单层石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤5)的超高真空条件下的真空度在0.03～-0.1MPa之间。

6.根据权利要求1所述的一种单层石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤6)中的带有石墨烯膜的过渡金属基底，完全浸没于硅油或脂肪酸酰胺中。