[发明专利]一种太阳能电池制备方法在审
| 申请号： | 201710952196.8 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107863410A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 于天宝;王茜茜 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池制备方法，包括提供适用于制备太阳能电池的单晶硅片；将单晶硅片固定，在所述单晶硅片表面形成规则形状的阵列图形；将PEDOTPSS溶液与硅烷偶联剂进行混合得到混合溶液；将定量的混合溶液滴在阵列图形表面，旋涂均匀之后进行退火处理；进一步将定量的PEDOTPSS溶液滴在阵列图形表面，旋涂均匀之后进行退火处理；制备电极，完成太阳能电池的制备。其在单晶硅片表面制备正金字塔状的阵列图形，减少其表面缺陷，降低高宽比，便于后续PEDOTPSS溶液的包覆。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池制备方法，其特征在于，所述太阳能电池制备方法中包括：提供适用于制备太阳能电池的单晶硅片；将所述单晶硅片固定，在所述单晶硅片表面形成规则形状的阵列图形；将PEDOT:PSS溶液与硅烷偶联剂进行混合得到混合溶液；将定量的混合溶液滴在阵列图形表面，旋涂均匀之后进行退火处理；进一步将定量的PEDOT:PSS溶液滴在阵列图形表面，旋涂均匀之后进行退火处理；制备电极，完成太阳能电池的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
