[发明专利]一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710947177.6 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107749423A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;胡诗犇;张啸尘;李晓庆;张建东;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、聚酰亚胺柔性基底层、SiO2缓冲层、源/漏电极、非晶掺硅氧化锡有源层、SiO2栅绝缘层，Si3N4栅绝缘层和栅极构成；其中，源/漏电极位于有源层和SiO2栅绝缘层两侧，Si3N4栅绝缘层覆盖于SiO2栅绝缘层上表面并与源/漏电极接触。本发明的TFT器件采用非晶掺硅氧化锡作为有源层，并将器件功能层置于层叠结构的中心面，在弯曲时使得功能层受到最低应力或者无应力，无需退火即可获得不错的器件性能，具有较强的抗弯折特性，可促进柔性电子器件的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 柔性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、聚酰亚胺柔性基底层、SiO2缓冲层、源/漏电极、非晶掺硅氧化锡有源层、SiO2栅绝缘层，Si3N4栅绝缘层和栅极构成；其中，源/漏电极位于有源层和SiO2栅绝缘层两侧，Si3N4栅绝缘层覆盖于SiO2栅绝缘层上表面并与源/漏电极接触。
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