[发明专利]形成插片的方法和制造包括插片的半导体封装的方法在审
| 申请号： | 201710946013.1 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107946197A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 皮在贤;李镐珍;金泰成;文光辰;安振镐;李来寅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体封装的方法包括在插片基板的第一表面上形成光致抗蚀剂图案。所述插片基板包括电极区和划线区。使用光致抗蚀剂图案作为掩模来刻蚀插片基板，以形成分别在电极区和划线区上的第一开口和第二开口。绝缘层和导电层形成于插片基板的第一表面上。第二开口的宽度小于第一开口的宽度。绝缘层接触插片基板的第一表面、第一开口的内表面和第二开口的内表面中的每一个。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 制造 包括 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种制造半导体封装的方法，包括：在插片基板的第一表面上形成光致抗蚀剂图案，所述插片基板包括电极区和划线区；使用光致抗蚀剂图案作为掩模来刻蚀所述插片基板，以形成分别在所述电极区和所述划线区上的第一开口和第二开口；以及在所述插片基板的第一表面上形成绝缘层和导电层，其中所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度，以及其中所述绝缘层接触所述插片基板的第一表面、所述第一开口的内表面和所述第二开口的内表面中的每一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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