[发明专利]晶片层合体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710941396.3 申请日: 2017-10-11
公开(公告)号: CN107919315B 公开(公告)日: 2023-07-11
发明(设计)人: 安田浩之;菅生道博;加藤英人 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;B32B7/12;B32B37/12
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 杜丽利
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了允许载体与晶片之间容易结合、允许晶片容易从载体脱层、能够提高薄晶片的生产率并且适合于生产薄晶片的晶片层合体以及制备所述晶片层合体的方法。所述晶片层合体包括载体、在所述载体上形成的粘合剂层和以使其具有电路表面的正面朝向所述粘合剂层的方式层合的晶片。所述粘合剂层从载体侧依序包括遮光性树脂层A和包含非有机硅热塑性树脂涂料的树脂层B。所述树脂层A由包含具有稠合环的重复单元的树脂组成,和树脂层B具有1至500MPa的在25℃的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。
搜索关键词: 晶片 合体 及其 制备 方法
【主权项】:
晶片层合体,其包括载体、在所述载体上形成的粘合剂层和使其具有电路表面的正面朝向所述粘合剂层而被层合的晶片,,其中所述粘合剂层从载体侧依序包括遮光性树脂层A和包含非有机硅热塑性树脂的树脂层B,所述树脂层A包括在其主链中包含稠合环的树脂,和所述树脂层B具有1至500MPa的在25℃的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。
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