[发明专利]晶片层合体及其制备方法有效
申请号: | 201710941396.3 | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN107919315B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 安田浩之;菅生道博;加藤英人 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B32B7/12;B32B37/12 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了允许载体与晶片之间容易结合、允许晶片容易从载体脱层、能够提高薄晶片的生产率并且适合于生产薄晶片的晶片层合体以及制备所述晶片层合体的方法。所述晶片层合体包括载体、在所述载体上形成的粘合剂层和以使其具有电路表面的正面朝向所述粘合剂层的方式层合的晶片。所述粘合剂层从载体侧依序包括遮光性树脂层A和包含非有机硅热塑性树脂涂料的树脂层B。所述树脂层A由包含具有稠合环的重复单元的树脂组成,和树脂层B具有1至500MPa的在25℃的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。 | ||
搜索关键词: | 晶片 合体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
晶片层合体,其包括载体、在所述载体上形成的粘合剂层和使其具有电路表面的正面朝向所述粘合剂层而被层合的晶片,,其中所述粘合剂层从载体侧依序包括遮光性树脂层A和包含非有机硅热塑性树脂的树脂层B,所述树脂层A包括在其主链中包含稠合环的树脂,和所述树脂层B具有1至500MPa的在25℃的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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