[发明专利]TFT的制备方法、用于制备TFT的墨水及其制备方法有效
| 申请号： | 201710940281.2 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109841735B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 辛征航;向超宇;李乐;张滔;张东华;邓天旸 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;C09D7/61;C09D11/30;C09D129/04;C08K3/16;C08K3/28;C08K5/098 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备TFT的墨水及其制备方法和TFT的制备方法。本发明用于制备TFT的墨水包括如下重量份的组分：有源层材料源组分、栅极绝缘层材料、稳定剂、有机溶剂、水。本发明TFT的制备方法包括的步骤有：将本发明用于制备TFT的墨水在设有栅极的基底上形成涂层，后进行退火处理，在设有栅极的基底上形成依次层叠结合的绝缘层和有源层。本发明墨水能够经过一次涂层处理后进行退火处理，能够形成栅极绝缘层和有源层，从而有效简化TFT的制备工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制备 方法 用于 墨水 及其 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备TFT的墨水，所述墨水包括有源层材料源组分、栅极绝缘层材料、稳定剂、有机溶剂和水，且所述栅极绝缘层材料在水中的溶解度大于在所述有机溶剂中的溶解度，或不溶于所述有机溶剂。
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