[发明专利]TFT的制备方法、用于制备TFT的墨水及其制备方法

说明书

本发明公开了一种用于制备TFT的墨水及其制备方法和TFT的制备方法。本发明用于制备TFT的墨水包括如下重量份的组分：有源层材料源组分、栅极绝缘层材料、稳定剂、有机溶剂、水。本发明TFT的制备方法包括的步骤有：将本发明用于制备TFT的墨水在设有栅极的基底上形成涂层，后进行退火处理，在设有栅极的基底上形成依次层叠结合的绝缘层和有源层。本发明墨水能够经过一次涂层处理后进行退火处理，能够形成栅极绝缘层和有源层，从而有效简化TFT的制备工艺步骤。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种TFT的制备方法、用于制备TFT的墨水及其制备方法。

背景技术

显示器已经成为人们日常工作和生活中不可或缺的部分，随着液晶显示器的发展和有源矩阵概念的深入，TFT(Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)技术得到了广泛的研究。在LCD(液晶显示器)或OLED(有机发光二极管)显示器中，每个像素点都是由集成在像素点后面的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度的显示屏幕信息。

目前比较成熟的TFT技术包括以氢化非晶硅(a-Si:H TFT)和多晶硅(p-Si TFT)薄膜晶体管为代表的硅基薄膜晶体管等，两者均已得到广泛的应用，但前者较低的场效应迁移率及后者较高的成本难以大规模生产使其发展遭到了局限性，更不适合下一代显示技术OLED及QLED的应用。有机薄膜晶体管(OTFT)具备制备方法多、可低温制备、柔韧度高等优势，但器件稳定性较差，且有机物易受水氧等外界条件影响等不利于其进一步应用。由于现有氧化物TFT(氧化物薄膜晶体管)如基于ZnO形成的IGZO(铟镓锌氧化物)TFT技术因为其与传统的非晶硅和多晶硅TFT相比具有高迁移率和稳定性，均匀性好等优点，而且其薄膜可实现低温制备，衬底可以选择柔性的塑料，以制备柔性显示器件，是近年来备受业界关注并得到大力发展的新型TFT背板技术。

目前，制备氧化物TFT的方法通常采用磁控溅射等真空制备方法制备氧化物有源层，但是现有真空制备方法存在对设备要求高，制备成本高，而且溅射沉积的氧化物有源层质量也难控制。在这种背景下，当前出现了采用溶液法制备金属氧化物有源层的方法，其具有工艺简单、低成本等优势。但是其也是单一的制备有源层。

在制备绝缘层时，目前大多数是采用无机绝缘材料来制备，但是无机材料作为绝缘层，其粗糙的表面特性等缺点，导致载流子在无机绝缘层表面被俘获，使得大多数高介电常数的电子器件存在漏电流大、稳定性差等问题，而且这些材料固相高温的加工条件与非柔性加工等缺点使其在大面积柔性显示、晶体管微型化、大规模集成电路、低工艺成本的溶液加工中无法应用。如在中国专利(CN201210141511.6)其栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜，所述栅极绝缘层通过退火工艺、或分层结构结合退火工艺、或分层结构可最大程度的减少栅极绝缘层中含氢的基团，有效避免含氢基团对氧化物半导体的影响，最大程度地提高整个TFT器件的稳定性，提高最终产品的良率。但是其栅极绝缘层与有源层分两步工艺制作，其制备工艺步骤繁琐。虽然现在出现来采用有机聚合物绝缘层材料来替代无机绝缘材料用以制备栅极绝缘层。虽然制备聚合物栅绝缘层的方法可以采用溶液旋涂法、LB组装法、喷墨打印法、热蒸镀法，但是其依然只能单独形成聚合物栅绝缘层，也即是形成聚合物栅绝缘层和形成有源层的步骤是分开进行的，其制备方法工艺步骤依然繁琐，效率有待提高。

发明内容

本发明实施例的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种用于制备TFT的墨水及其制备方法，以解决现有采用溶液法制备TFT的墨水只能形成单一TFT功能层的技术问题。

本发明的另一目的在于提供一种TFT的制备方法，以解决现有形成TFT的方法工艺繁琐，效率低的技术问题。

为了实现上述发明目的，本发明的一方面，提供了一种用于制备TFT的墨水。所述用于制备TFT的墨水包括有源层材料源组分、栅极绝缘层材料、稳定剂、有机溶剂和水，且所述栅极绝缘层材料在水中的溶解度大于在所述有机溶剂中的溶解度，或不溶于所述有机溶剂。