[发明专利]一种石墨烯/六方氮化硼异质结构压力传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201710938254.1 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107748025B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张勇;刘冠军;方中正;邱静;刘瑛;吕克洪;杨鹏;代岳;程先哲 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01L1/20 | 分类号： | G01L1/20 |
| 代理公司： | 国防科技大学专利服务中心 43202 | 代理人： | 徐志宏 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯/六方氮化硼异质结构压力传感器及制备方法，所述传感器至少由硅/二氧化硅衬底层、石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层、外壳组成。所述衬底层包含电极和空腔；述感应层采用石墨烯和六方氮化硼两种材料制备；所述感应层附着在衬底层的空腔上方；衬底层和感应层封装在外壳内。所述制备方法包括：刻蚀衬底层空腔，制备石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层，刻蚀感应图案和封装。本发明提供的石墨烯/六方氮化硼异质结构压力传感器线性度好、成品率高、灵敏度较高、稳定性好、预期使用寿命长，且其制作成本低、工艺简易、过程可控，可用于流场压力感知等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 氮化 硼异质 结构 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯/六方氮化硼异质结构压力传感器，至少包括硅/二氧化硅衬底层、石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层、外壳；所述硅/二氧化硅衬底层包含电极；所述电极为钛金电极，且为两层结构，上层为金、下层为钛；所述硅/二氧化硅衬底层上表面刻蚀有空腔，所述空腔深度不小于1.5μm；所述石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层采用石墨烯和六方氮化硼两种材料制备，为两层结构，上层为六方氮化硼，下层为石墨烯；所述石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层附着在所述硅/二氧化硅衬底层上表面的空腔上方，且所述石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层与所述硅/二氧化硅衬底层上的电极直接接触；所述石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层上刻蚀有圆形的图案；所述外壳包括基片、管座、管脚、盖帽；所述硅/二氧化硅衬底与所述基片上表面键合连接，所述基片下表面与所述管座上表面通过键合连接；所述盖帽覆盖在石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层上方；所述管脚贯穿管座上下表面，所述管脚的上端通过引线与所述硅/二氧化硅衬底的电极相连，下端连接外部的测试电路；所述外壳覆盖硅/二氧化硅衬底层、石墨烯/六方氮化硼异质结构压力感应层。
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